196084, г. Санкт-Петербург, Московский пр., д. 148, литера Д
Поставки электронных компонентов отечественного и иностранного производства

IR2011STRPBF

Изображения носят ознакомительный характер, см. техническую документацию
Срок поставки: 6 недель

Драйвер MOSFET
Цена по запросу
Требуется консультация?
Спросите эксперта!
Задать вопрос

IR2011STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней

Конфигурация
High-Side/Low-Side
Тип Канала
независимый
Кол-во каналов
2
Тип управляемого затвора
N-CH MOSFET
Напряжение питания
10~20 V
Логическое напряжение (VIL), В
0.7
Логическое напряжение (VIH), В
2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
1
Тип входа
инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
35
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
20
Рабочая температура,С
-40°C ~ 150°C
Корпус
SOIC-8
IR2011STRPBF.pdf